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SK海力士HBM4E也送樣 緊隨三星競逐新一代AI記憶體

SK海力士緊追三星電子開發新一代高頻寬記憶體(HBM)HBM4E。圖為SK海力士的HBM3。路透
SK海力士緊追三星電子開發新一代高頻寬記憶體(HBM)HBM4E。圖為SK海力士的HBM3。路透

南韓晶片 製造商SK海力士 發布新聞稿說,已向主要客戶交付用於新一代AI的DRAM12層「HBM4E」樣本。

SK海力士承諾將和合作夥伴密切合作,按計畫及時量產。

SK海力士說, 透過效能和效率提升,單一針腳(pin)最高傳輸速度可達16Gbps。晶片採用先進MR-MUF封裝技術,熱阻降低17%,穩定性也獲得提升。

SK海力士的對手三星 電子5月底已搶先向客戶提供業界最先進的記憶晶片樣本,在供應輝達(NVIDIA)在內晶片設計商 AI加速器的關鍵零組件的競賽中,搶占先機。

三星電子當時表示,已開始將12層HBM4E送樣給主要客戶。這里程碑凸顯三星電子在高頻寬記憶體 (HBM)市場發展迅速。

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