迎擊AI記憶體爆發性需求 SK海力士豪擲381億美元於南韓新建兩座DRAM與NAND晶圓廠

南韓 記憶體 巨頭SK海力士 （SK Hynix）宣布，公司董事會批准高達54兆韓元 （約381億美元）的資本支出計畫，將於南韓本土新建兩座記憶體晶圓廠，藉此應對AI資料中心熱潮所帶來的爆發性需求。

砸54兆韓元雙線佈局：龍仁主攻HBM、清州專注NAND

根據規劃，這筆鉅額投資將分為兩個主要生產基地：

• 龍仁市 （Yongin）Y2廠：獲得約35.2兆韓元 （約249億美元）的預算，將作為生產HBM高頻寬記憶體與次世代DRAM的核心基地，預計於2027年7月動工，首座無塵室最快將於2029年6月投入運作。

• HBM清州市 （Cheongju）M17廠：獲得19.1兆韓元 （約132億美元）投資，主要用於生產企業級SSD與AI推論儲存所需的NAND Flash，預計在2027年2月動工，無塵室則鎖定在2028年12月啟用。

SK海力士聲明指出，此決議是基於對市場需求的徹底評估，目標配合AI市場的成長速度，主動確保產能優勢，以應付資料中心對於高速記憶體的龐大渴求。

消費級市場的排擠效應：PC與手機記憶體跌價無望？

儘管這項產能擴充計畫規模驚人，但對於期待記憶體降價的PC DIY玩家與一般消費者而言，短期內恐怕等不到好消息。

由於各大資料中心對HBM與高階企業級儲存產品的需求極度旺盛且利潤豐厚，包含三星、SK海力士，以及美光在內的製造商，已經將絕大部分的產能轉移至資料中心市場。

例如，美光先前就明確表示退出消費級記憶體市場 （例如不再推出消費級品牌Crucial記憶體），全力專注於AI相關產品。這種產能排擠效應，直接導致目前智慧型手機、遊戲主機與PC等消費性電子產品的記憶體價格居高不下。

市場研究機構Counterpoint Research分析師Neil Shah指出，由於需求成長的速度遠超過計畫擴增的產能，因此在2028年底前，全球記憶體價格都不太可能出現明顯的軟化。

筆者觀點

SK海力士這項381億美元的豪賭，不僅是對近期分析師擔憂「AI泡沫可能破裂」的強勢反擊，更彰顯其試圖在HBM戰場上死守領先優勢的決心。

隨著競爭對手三星在一般DRAM領域重奪市佔龍頭，SK海力士的擴產除了是為了滿足龐大訂單，同時也是一種防禦策略。然而，對於廣大的消費性電子市場來說，這也意味著未來幾年內，依然必須忍受因AI產業「吸血」而導致的記憶體高昂成本。

在2029年這些新廠正式開出產能之前，消費端記憶體市場的緊縮與高價陣痛期預期仍將持續。

《原文刊登於合作媒體mashdigi，聯合新聞網獲授權轉載。》