在此次Snapdragon Tech Summit 2024最後議程裡,Qualcomm 一樣安排旗下運算平台產品性能測試環節,其中說明在此次活動公布實際應用於市售筆電機種的Snapdragon X Elite運算平台,對比Intel、AMD在IFA 2024期間公布應用其處理器的上市機種實際性能表現落差,強調其運算平台依然站穩真實應用場景性能表現。
另一方面,Qualcomm也實際以應用此次揭曉Snapdragon 8 Elite 行動運算平台的工程機,以異種對比形式標榜能在實際性能領先Intel、AMD用於筆電機種的表現。
強調Snapdragon X Elite運算平台在不插電、純裝置內建電池電力運作的表現依然優異
雖然在今年IFA 2024期間,Qualcomm就已經公布對比Intel、AMD,甚至蘋果的處理器實際應用性能表現數據,但在此次Snapdragon Tech Summit 2024活動依然針對Intel等業者提出對比數據進行驗證。
在相關測試環節中,Qualcomm實際以筆電品牌業者Dell、三星以相同機型,分別搭載Snapdragon X Elite (X1E-80-100)與Intel的Core Ultra 7 256V處理器情況下進行測試比對。
其中,在SPECrate2017 Base測試環節,在測試裝置都連接充電器情況下,透過單次測試實際得出成績相差不大,但在經過多次運作測試情況下所得到結果就會出現明顯差異,顯示Intel在處理器設計的溫度保護限制較大,反觀Qualcomm處理器仍可維持明顯較高性能輸出。
而在SPECrate2017測試數據結果中,同時也能看見在相同電力瓦數下的性能表現,Snapdragon X Elite (X1E-80-100)高於Core Ultra 7 256V約有52%,在相同性能輸出情況下的耗電量則減少41%。
不過,Qualcomm提出數據與Intel先前公布比較結果有顯著差異,其實在於Qualcomm在Snapdragon X Elite首波應用產品推出後,持續與微軟進行多次調整更新,加上更多性能評測軟體也陸續加入支援Qualcomm新款處理器,因此也讓性能量測數據有不同結果,而Qualcomm也表示相關結果更貼近真實使用體驗。
就相關調整之後,Qualcomm表示即便Core Ultra 7 256V在單核性能輸出曲線與Snapdragon X Elite (X1E-84-100)相同,但兩者之間仍有10%左右的相同瓦數輸出性能差異,甚至Core Ultra 7 256V在多核性能輸出表現,必須耗費更多電力才能達成與Snapdragon X Elite (X1E-84-100)相同結果。
此外,Qualcomm也指出Intel在數據比較部分,並非以同級產品進行比對。例如在單核心性能表現數據,Intel實際是以性能定位更高的Core Ultra 7 288V,與規格定位並非較高的Snapdragon X Elite (X1E-80-100)作比較,若加入規格定位較高的Snapdragon X Elite (X1E-84-100),在Cinebench R24單核心測試與Geekbench 6單核心測試就會有完全不同結果。
至於以相同Dell XPS 13機身設計比較之下,Snapdragon X Elite (X1E-80-100)在Cinebench R24的峰值多核心性能測試結果,比起Core Ultra 7 256V高出92%。
在以電池平衡模式運作情況下進行各類測試,Qualcomm更強調Core Ultra 7 256V在所有測試結果都出現明顯的性能落差,反觀Snapdragon X Elite (X1E-80-100)幾乎沒有太大改變,甚至在Geekbench或Cinebench的單核心、多核心測試結果都維持與插電時相近的性能表現。
Qualcomm更直指在相同機身設計的筆電以最佳電池節能模式運作時,Snapdragon X Elite (X1E-80-100)幾乎可對應長達28.7小時電力續航時間,而Core Ultra 7 256V則僅能達24.2小時。而在以Procyon AI進行NPU執行人工智慧運算的性能測試時,Qualcomm處理器在架構設計也有明顯優勢。
Snapdragon 8 Elite在性能輸出有更高穩定性,甚至能以異種對比方式與筆電機種「較勁」
在另一個測試環節中,Qualcomm也以採用Snapdragon 8 Elite運算平台的參考設計手機提供比較。由於先前Qualcomm已經公布具體性能測試數據,因此筆者在時間有限情況下,主要聚焦在以3DMark進行較多人經常在手機遊玩遊戲的使用體驗測試。
其中以3DMark Wild Life Extreme進行20次的連續壓力測試,可以發現平均畫面顯示幀率平均仍可維持在30fps上下,而單次顯示性能在經歷20次連續壓力測試後的表現衰退走勢相對平緩,大致維持在66%左右的穩定度表現,不會像先前搭載Snapdragon 8 Gen 3的市售機種會有明顯落差,意味整體性能可在使用過程維持穩定輸出。
值得一提的是,相比去年以搭載Snapdragon 8 Gen 3的參考設計手機進行壓力測試,機身會產生難以持握的熱度,但在此次採用Snapdragon 8 Elite運算平台的參考設計手機在幾輪性能測試之後,依然維持可接受熱度,亦即單手持握不致於燙手的情況,顯示此次運算平台的安全溫度控制在較低範圍,但依然能對應更高性能輸出表現。
至於在與採用Snapdragon X Elite (X1E-80-100)、Core Ultra 7 256V,以及AMD的Ryzen AI 9 HX370應用筆電進行異種對比結果中,採用Snapdragon 8 Elite運算平台的參考設計手機在單核心性能明顯領先,主要在於本身在第二代自主架構Oryon CPU採用運作時脈更高的主核設計,而在多核心性能比較依然是由Snapdragon X Elite (X1E-80-100)以12組核心設計較為有利。
而無論是Core Ultra 7 256V或Ryzen AI 9 HX370,都會在以電池平衡模式下以節電狀態運作,因此也使整體性能大幅降低,但Snapdragon X Elite (X1E-80-100)或Snapdragon 8 Elite幾乎都不受是否插電影響,均可維持幾乎一致的性能輸出。
《原文刊登於合作媒體mashdigi,聯合新聞網獲授權轉載。》
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