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路透:三星的八層HBM3E晶片已通過輝達測試 Q4有望供應

三星電子在首爾的辦公室。美聯社
三星電子在首爾的辦公室。美聯社

路透引述三位消息人士說法報導,三星 電子的第五代高頻寬記憶體晶片 HBM3E已經通過輝達(Nvidia)測試,可用於輝達的AI 處理器上。

取得這一資格,為三星電子掃清一個重大障礙。在供應能夠處理生成式AI任務的高階記憶體方面,三星一直在努力追趕南韓同業SK海力士。

路透報導指出,消息人士表示,三星和輝達尚未簽署這款已獲通過的8層HBM3E晶片供應協議,但很快將簽署,預期今年第4季就會展開供應。

不過消息人士說,三星的12層HBM3E晶片尚未通過輝達測試。由於此事仍屬機密,消息人士拒絕具名。

三星和Nvidia均拒絕置評。

HBM是一種動態隨機存取記憶體或DRAM標準,於2013年首次推出,其中的晶片採用垂直堆疊方式,以節省空間並降低功耗。HBM是AI繪圖處理器(GPU)的關鍵組件,可幫助處理複雜應用程序產生的大量數據。

據路透5月引述消息人士報導,三星自去年以來一直在尋求通過輝達對HBM3E以及之前第四代HBM3晶片的測試,但由於發熱和功耗問題而未能成功。

據知情人士透露,該公司此後已修改了HBM3E的設計以解決這些問題。

在路透5月發出報導後,三星表示,有關其晶片因發熱和功耗問題未能通過輝達測試的說法不實。

據路透上個月報導,輝達最近核准了三星HBM3晶片,可用於為中國市場開發的較不複雜的處理器。

據研究業者集邦科技,HBM3E晶片很可能成為今年市場上的主流HBM產品,出貨量將集中在下半年。SK海力士估計,到2027年,HBM記憶體的總體需求年增速可能達到82%。

三星7月曾預測,到第4季,HBM3E晶片將占其HBM晶片銷量的60%。許多分析師表示,如果其最新的HBM晶片能在第3季前獲得輝達的最終核准,這一目標就可以實現。

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