
科林研發 (Lam Research)宣布推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術,藉此加速3D NAND記憶體在人工智慧時代的微縮應用發展,預計在10年內可協助記憶體業者實現1000層的3D NAND記憶體問世。
Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術,是科林研發旗下經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術,利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術,以及創新表面化學製程方式,藉此實現精度更高、輪廓可控性更高的蝕刻操作。
科林研發全球產品事業群資深副總裁Sesha Varadarajan表示,Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術將可實現創造1000層3D NAND記憶體技術基礎,具備以埃米級精度建立高深寬比 (HAR)特徵,蝕刻速率更是傳統介電層製程技術的2倍以上。
過去以來,3D NAND主要藉由儲存單元垂直層堆疊增加容量密度,其中主要藉由蝕刻技術形成儲存通道,而蝕刻過程的極小原子級誤差可能會產生電效能影響,進而影響生產良率,在Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術特殊的高功率侷限電漿反應器、製程改善與遠低於-0oC的溫度特性,搭配科林研發的Vantex介電層系統的可擴展脈衝電漿技術,將使蝕刻深度和輪廓控制程度明顯提高,其中可創造蝕刻深度高達10微米的儲存通道,並且讓頂部到底部關鍵尺寸誤差小於0.1%。
此外,Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術應用特性更包含更快的蝕刻速度,並且讓整體生產良率提升,另外整體生產耗能也能降低40%,更使碳排放量可減少多達90%,同時仍可讓記憶體業者能更大規模推動3D NAND記憶體生產效率。
基於人工智慧技術應用發展,進而帶動快閃記憶體效能與容量需求增加,科林研發預期在Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術應用之下,將能加速記憶體業者更快推出多達1000層設計的3D NAND記憶體產品。
《原文刊登於合作媒體mashdigi,聯合新聞網獲授權轉載。》
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