JEDEC固態技術協會公布DDR5 MRDIMM與LPDDR6 CAMM兩款記憶體模組設計標準，前者將可相容現有RDIMM (Registered DIMM)記憶體 模組定義，藉由多列記憶體顆粒與多訊號單一傳輸通道設計，藉此提高資料傳輸頻寬與容量，而後者則是以LPDDR6記憶體規格為基礎，採用CAMM記憶體規格設計，並且讓資料傳輸頻寬可達14.4GT/s。
兩者均可提升資料運算傳輸速率，藉此對應更高運算效能表現，同時也預期能藉此推動更高人工智慧運算效能。
依照說明，DDR5 MRDIMM記憶體模組將延續現有RDIMM對應針腳定義、記憶體傳輸頻寬、序列存在檢測 (SPD)、電源管理晶片 (PMIC)等設計，並且以多列記憶體顆粒與多路設計，讓記憶體模組整體傳輸頻寬增加，讓記憶體峰值傳輸頻寬可達現有DDR5記憶體的兩倍，約可對應12.8Gbps資料傳輸速率，但記憶體模組高度也會相對較高。
至於LPDDR6 CAMM記憶體模組，則是以LPDDR6記憶體規格為基礎，並且結合CAMM記憶體規格設計，預期可用於輕薄筆電等裝置，未來也預期可用在桌機主機板，或是資料中心設備。
在此之前，美光已經與JEDEC固態技術協會共同制訂LPCAMM2記憶體模組，藉此讓此設計成為業界標準，而JEDEC固態技術協會此次公布的LPDDR6 CAMM記憶體模組設計，預期也會成為日後統一採用標準。
《原文刊登於合作媒體mashdigi，聯合新聞網獲授權轉載。》
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