今年在Computex 2024期間展示以Intel 3製程打造、代號「Sierra Forest」且採用全E Core節能核心設計的第六代Xeon處理器之後，Intel在IEEE VLSI全球超大型積體技術及電路國際會議上公開Intel 3製程具體細節。

其中，相比Intel 4製程，Intel 3製程的電晶體密度相對提升10%，同時也讓電功耗效能提升18%，更將是Intel最後一個維持FinFET (鰭式場效電晶體)技術設計的製程節點。

在Intel 3之後，Intel接下來將會轉入Intel 20A及Intel 18A，並且改用GAA (環繞式閘極結構)技術的RibbonFET設計。

Intel 3製程將劃分4個版本，包含標準Intel 3製程及採用矽穿孔設計的Intel 3-T，另外也包含具擴充特性的Intel 3-E，以及針對效能提升的Intel 3-PT。

Intel 3-T將建立在Intel 3基礎之上，導入針對3D堆疊設計使用的矽穿孔 (TSV)技術設計，主要用於影像處理、高效能運算及人工智慧，或是需要將多組運算元件與記憶體統整在相同封裝的處理器。

而Intel 3-E則加入可用於外部介面、模擬等訊號連接的I/O功能，可用於晶片組或控制器產品。至於Intel 3-PT則是鎖定高效能處理器使用，其中導入間距僅9µm的矽穿孔技術，使其可對應密度更高的3D堆疊設計，預計用在人工智慧與高效能運算處理器產品。

依照Intel代工技術研發部門副總裁Walid Hafez說明，Intel 3作為最後一個採用FinFET設計製程節點，將成為Intel內部生產產品，以及外部合作代工產品，並且銜接未來新技術的重點項目。

目前Intel 3製程已經開始在Intel位於俄勒岡州的產線投入量產，同時也在位於愛爾蘭的萊克斯利普 (Leixlip)產線用於生產Intel第六代Xeon處理器，並且協助客戶代工量產晶片產品。

接下來採RibbonFET設計的Intel 20A則預計會在今年底投產，至於Intel 18A也將在2025年投產，預計用在代號「Panther Lake」的新一代處理器產品，藉此實現先前提出「4年橫跨5個製程節點」的承諾。

《原文刊登於合作媒體mashdigi，聯合新聞網獲授權轉載。》