在2nm先進製程的爭奪上,看起來台積電要扳回一局了。
據供應鏈消息,台積電將如期在2025年上線2nm生產工藝,2025年下半年在新竹市寶山鄕進入量產。
消息還表示,台積電計劃在2026年推出N2P工藝,這一工藝將採用背面供電網絡(BSPDN)技術。
2nm晶片是台積電的一個重大節點,該工藝將會採用納米片晶體管(Nanosheet),取代鰭式場效應晶體管(FinFET),這意味著台積電工藝正式進入GAA晶體管時代。其中,2nm晶片相較於3nm晶片,在相同功耗下,速度快10-15%。在相同速度下,功耗降低25-30%。
值得關注的是,代工技術從高K金屬柵極平面FET發展到FinFET再到MBCFET,目前正進階到BSPDN。此外,三星 也將在2nm工藝採用BSPDN技術。
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