在2nm先進製程的爭奪上，看起來台積電要扳回一局了。
據供應鏈消息，台積電將如期在2025年上線2nm生產工藝，2025年下半年在新竹市寶山鄕進入量產。
消息還表示，台積電計劃在2026年推出N2P工藝，這一工藝將採用背面供電網絡（BSPDN）技術。
2nm晶片是台積電的一個重大節點，該工藝將會採用納米片晶體管（Nanosheet），取代鰭式場效應晶體管（FinFET），這意味著台積電工藝正式進入GAA晶體管時代。其中，2nm晶片相較於3nm晶片，在相同功耗下，速度快10-15%。在相同速度下，功耗降低25-30%。
值得關注的是，代工技術從高K金屬柵極平面FET發展到FinFET再到MBCFET，目前正進階到BSPDN。此外，三星 也將在2nm工藝採用BSPDN技術。
