在加州舉辦的三星晶圓代工論壇中，三星宣布將在未來5年內將製程技術推進至1.4nm規格，並且預計在2027年將晶圓代工業務營收增加為2021年的3倍。
三星日前已經宣布其3nm製程代工晶片產品已經正式出貨，並且強調領先其他競爭業者實現3nm製程技術量產。在此次論壇中，三星電子晶圓代工事業執行副總裁康文秀 (Moon-soo Kang)表示，為了能在2027年實現進入1.4nm製程技術發展，三星將在諸多半導體技術取得飛躍式進展，並且在美國擴大晶圓代工業務發展。
除了計畫在2027年進入1.4nm製程技術發展，三星更宣布將強化其環繞式閘極 (gate-all-around,GAA)技術，在第二代設計中，將比第一代設計讓晶體管尺寸縮減20%，藉此在晶圓面積內放入更多電晶體管，同時也能提高晶圓每單位功率運作效率。
另外，三星也透露將在2025年讓2nm製程技術進入量產，藉此提高晶圓量產製作能力。
目前三星也計畫積極爭取美國境內晶圓代工市場，除了在德州奧斯汀的工廠，目前也計畫在鄰近泰勒市興建全新工廠，預計在2024年開始運作，並且計畫以最新3nm製程技術提供代工量產資源。
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