趕在6月結束之際，三星宣布已經開始開始生產3nm製程晶片，象徵在製程技術發展領先競爭對手。
三星的3nm製程技術基於環繞式閘極 (Gate-All-Around,GAA)電晶體架構設計，相比台積電目前採用的鰭式場效電晶體 (Fin Field Effect Transistor,FinFET)能讓晶片發揮更高運算效能，並且能藉由降低電壓提升能源效益。
相較先前的5nm製程，三星強調3nm製程約可降低45%能耗，並且讓運算效能提升25%，晶片佔用面積約可縮減16%，預期可應用在更輕薄手機產品，或是更小裝置使用。
在台積電預期要等到2023年才會開始生產3nm製程晶片產品情況下，預期三星將會藉由3nm製程技術搶先爭取更多代工需求客戶。
不過，從先前Qualcomm藉由三星5nm製程技術量產Snapdragon 8 Gen 1處理器，卻出現容易過熱問題，因此在後續推出的Snapdragon 8+ Gen 1處理器，則因為換成台積電5nm製程技術，進而在運作發熱控制有較好表現，使得市場對於三星推出3nm製程技術良率表現感到質疑。
目前台積電依然是全球最大晶片代工業者，市佔率高達53%，其次則是三星，市佔率約在18%，而台積電預計會在2025年進入2nm製程發展，預期三星也會積極搶進2nm製程技術市場。
《原文刊登於合作媒體mashdigi，聯合新聞網獲授權轉載。》
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