三星 半導體 (Samsung Semiconductor)宣布推出旗下UFS 4.0儲存元件，標榜提供業界最高存取效能，在每組通道可達23.2 Gbps傳輸速度，將是目前主流規格UFS 3.1的2倍以上。
除了將近一步提升智慧型手機資料存取效率，並且增加終端裝置上的運算效能，三星更標榜能透過UFS 4.0儲存元件帶動自駕車、擴增實境及虛擬實境運算效能。
在三星的UFS 4.0儲存元件設計中，採用旗下第7代V-NAND垂直記憶體，搭配專利設計的控制器，藉此對應每秒可達4200MB連續讀取速度表現，同時在連續寫入則可達每秒2800MB，相比UFS 3.1規格的使用功耗則會降低46%，意味將可讓智慧型手機待機時間大幅增加。
目前三星提出的UFS 4.0儲存元件將以最大11mm x 13mm x 1mm體積打造，儲存容量最高可達1TB，預計會在今年第三季進入量產，沒意外的話將會廣泛應用在年底，或是明年推出的高階手機產品。
《原文刊登於合作媒體mashdigi，聯合新聞網獲授權轉載。》
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