固態儲存協會 (JEDEC)稍早宣布第三版HBM2記憶體標準JESD235C，將使針腳傳輸頻寬增加至3.2Gbps，相比先前版本的2Gbps、2.4Gbps約提昇33%，同時以單組DIE可對應2GB儲存容量，並且可對應堆疊12組DIE的情況，意味單組堆疊容量可達24GB，搭配1024位元傳輸頻寬，最高可實現410GB/s傳輸頻寬，若搭配可支援4組堆疊記憶體的GPU，即可發揮高達1.64TB/s傳輸頻寬，意味可讓GPU在短時間內對應處理更大影像資訊量。
而運作電壓部分，第三版HBM2記憶體標準與第二版設計同為1.2V，相比第一代設計採1.35V更為省電。
在單一堆疊容量即可達24GB，若是搭配可支援4組堆疊記憶體的GPU，則可支援高達100GB記憶體容量，對於處理龐大影像資訊量的專業繪圖卡，應用在電影特效，或是進行複雜科學分析研究，將會更加有利。
目前包含三星與海力士都已經著手生產採第三版標準設計的HBM2記憶體，並且以HBM2E形式為稱，其中由三星推出的Flashbolt HBM2E產品預計會在今年上半年進行量產，單組記憶體最大容量為16GB，在超頻模式下更可讓單一針腳傳輸頻寬增加至4.2Gbps，單組堆疊記憶體的最大傳輸頻寬則可達538GB/s。
《原文刊登於合作媒體mashdigi，聯合新聞網獲授權轉載。》
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