繼2016年在香港4G/5G Summit大會上揭曉對應5G連網需求的數據晶片X50之後，Qualcomm接續宣布推出第二款5G連網數據晶片Snapdragon X55，主要將Snapdragon X50採用的10nm FinFET製程技術進展至7nm FinFET製程，藉此與同樣以7nm FinFET製程打造的Snapdragon 855處理器在電力功耗匹配。
原本以為Qualcomm在今年將會以對應毫米波 (mmWave)與6GHz以下頻段的Sanpdragon X50數據晶片，搭配更輕薄設計的連網天線模組對應5G連網需求，但稍早Qualcomm則是確認將推出全新第二款5G連網數據晶片Snapdragon X55，在Snapdragon X50設計基礎上加入支援高達7Gbps下載速度表現，比起Snapdraogn X50數據晶片對應最高5Gbps下載速度表現提昇許多，分別對應TDD與FDD兩種運作模式，並且相容NSA非獨立組網與SA獨立組網連接模式。
而Snapdragon X55數據晶片在4G LTE連接表現也同樣有所提昇，支援高達2.5Gbps下載表現，幾乎是Snapdragon X50數據晶片可達5G連網速度一半左右，對應LTE Cat.22規格、7相載波聚合，並且支援4×4 MIMO及256-QAM天線連接。
此外，相比Snapdragon X50數據晶片採用7nm FinFET製程設計，Snapdragon X55數據晶片採用的是7nm FinFET製程，因此預期能有更低耗電與發熱表現，並且可配合同樣以7nm FinFET製程打造的Snapdragon 855處理器使用。
同時，Qualcomm也宣布推出全新連網天線模組QTM525，不但可應用在8mm厚度機身設計，並且能在機身上下、左右各配置一組，藉此加強手機在5G連網使用表現，在連網頻段部分更在28GHz與39GHz規格基礎上，額外新增支援26GHz頻段，讓手機在5G連網表現更可對應全球連接需求，分別支援北美、日本、歐洲、韓國、澳洲地區電信業者所提出5G連網技術規格。
除了針對終端裝置設計需求提出全新5G應用設計方案，Qualcomm也針對連接需求提出全新5G包覆追蹤解決方案QET6100，以及自動天線諧調解決方案QAT3555，藉此改善室內網路覆蓋率，並且藉由更小封裝設計讓設備商能以此類解決方案打造產品。
依照Qualcomm說明，5G連網解決方案之所以設計困難，在於必須支持不同地區採用5G連網技術，其中包含不同的5G網路使用頻譜、不同佈署方式，甚至必須向下相容現有的4G LTE連網技術，另外也不僅需要解決裝置端的連接模式，更要設法改善從裝置端到連接端，以及擴展到更大連接範圍應用模式，加上更多元化的使用場景，使得5G連網技術發展相對複雜。
目前Qualcomm所推出的5G連網數據晶片，已經可以對應全球多模使用需求，並且支援毫米波、6GHz以下頻段，支援各地區電信業者使用技術規範，另外也與全球超過20家電信業者、20家OEM廠商合作，藉此打造更大5G連網生態。
此次宣布推出的Snapdragon X55數據晶片，將先針對合作夥伴提供測試樣品，預計會在今年內宣布推出正式商用產品，或許最快會在今年下半年推出。
隨著Snapdragon X55問世，顯然Qualcomm希望在5G連網應用競爭上，再次與三星推行的Exynos Modem 5100、Intel打造的XMM 8160、華為推出的Balong 5000，以及聯發科預計推出的Helio M70數據晶片持續拉開距離，進而在5G連網應用發展維持領先腳步。
另一方面，從新款Snapdragon X55採用更小製程、更小電功耗表現，意味Qualcomm提出的新款5G連網機種設計，可以套用在厚度更輕薄手機產品，並且延長裝置電力使用時間，似乎也代表Qualcomm將能以此向蘋果喊聲，呼籲雙方可在5G連網需求再次恢復合作。
