美商記憶體 大廠美光 科技今日宣布首款採 1γ(1-gamma)製程節點的 DDR5 DRAM 記憶體樣品,將出貨至生態系統中的合作夥伴和指定客戶進行驗證。美光表示,這項採用極紫外光(EUV)微影設備的新世代製程,將比 1β(1-beta)效能更高、功耗更低且位元密度更高,將支援資料中心、手機、AI PC、智慧車和遊戲等五大應用。
美光今日舉行記者會,強調這項新製程將在日本廣島和台灣導入量產,同時也有機會支援下一代高頻寬記憶體HBM4,帶來更好的效能表現。
美光表示,1-gamma 製程DRAM 是繼 1α(1-alpha)和 1β(1-beta)DRAM 製程節點之後,再次樹立的重大里程碑,並將有效賦能雲端、工業與商業消費端及邊緣AI設備(如AI PC、智慧型手機及汽車等)等未來運算平台。美光 1γ DRAM 節點將首先應用於其 16Gb DDR5 DRAM,之後再陸續整合至美光的記憶體產品組合中,以因應AI產業對高效能、節能記憶體解決方案快速增長的需求。此 16Gb DDR5 產品旨在提供高達 9200MT/秒的資料傳輸速率,與前一代產品相比,增速高達15%,功耗則同時降低逾20%。
美光強調,隨著資料中心和邊緣裝置紛紛導入AI,記憶體的需求已飆升至史上新高。美光向 1-gamma DRAM節點的邁進,有助於客戶克服亟需解決的關鍵挑戰。包括增強效能:1-gamma製程生產的DDR5 DRAM,足可支援從資料中心到邊緣裝置等各種記憶體產品的運算擴充,從而滿足未來AI工作負載的要求。
其次是節省能源:美光的 1-gamma節點採用下一代高介電質金屬閘極 CMOS 技術,並搭配設計最佳化後,可節省功耗超過20%,讓散熱特性更優異。還提高位元密度: 1-gamma節點採用 EUV 微影技術、設計最佳化及製程創新,與前一代製程相比,每片晶圓的位元產出量多出30%以上,能有效擴大記憶體供應。
美光目前主力HBM產品為採用1-beta製程的DDR5 DRAM堆疊成為HBM3e,供貨給主要AI晶片廠,隨著1-gamm即將在今年放量,美光也規劃今年推出下世代的HBM4,擴大HBM全球市占。
