美商記憶體 大廠美光 科技今日宣布首款採 1γ（1-gamma）製程節點的 DDR5 DRAM 記憶體樣品，將出貨至生態系統中的合作夥伴和指定客戶進行驗證。美光表示，這項採用極紫外光（EUV）微影設備的新世代製程，將比 1β（1-beta）效能更高、功耗更低且位元密度更高，將支援資料中心、手機、AI PC、智慧車和遊戲等五大應用。
美光今日舉行記者會，強調這項新製程將在日本廣島和台灣導入量產，同時也有機會支援下一代高頻寬記憶體HBM4，帶來更好的效能表現。
美光表示，1-gamma 製程DRAM 是繼 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 製程節點之後，再次樹立的重大里程碑，並將有效賦能雲端、工業與商業消費端及邊緣AI設備（如AI PC、智慧型手機及汽車等）等未來運算平台。美光 1γ DRAM 節點將首先應用於其 16Gb DDR5 DRAM，之後再陸續整合至美光的記憶體產品組合中，以因應AI產業對高效能、節能記憶體解決方案快速增長的需求。此 16Gb DDR5 產品旨在提供高達 9200MT/秒的資料傳輸速率，與前一代產品相比，增速高達15%，功耗則同時降低逾20%。
美光強調，隨著資料中心和邊緣裝置紛紛導入AI，記憶體的需求已飆升至史上新高。美光向 1-gamma DRAM節點的邁進，有助於客戶克服亟需解決的關鍵挑戰。包括增強效能：1-gamma製程生產的DDR5 DRAM，足可支援從資料中心到邊緣裝置等各種記憶體產品的運算擴充，從而滿足未來AI工作負載的要求。
其次是節省能源：美光的 1-gamma節點採用下一代高介電質金屬閘極 CMOS 技術，並搭配設計最佳化後，可節省功耗超過20%，讓散熱特性更優異。還提高位元密度： 1-gamma節點採用 EUV 微影技術、設計最佳化及製程創新，與前一代製程相比，每片晶圓的位元產出量多出30%以上，能有效擴大記憶體供應。
美光目前主力HBM產品為採用1-beta製程的DDR5 DRAM堆疊成為HBM3e，供貨給主要AI晶片廠，隨著1-gamm即將在今年放量，美光也規劃今年推出下世代的HBM4，擴大HBM全球市占。
