華為麒麟9000S 達7奈米？ 業界：僅略優約台積10奈米製程

華為 最新推出的智慧手機 Mate 60 Pro，本次搭載了中國晶圓代工廠中芯打造的麒麟9000S處理器晶片，看似強勢回歸。不過半導體業界指出，中芯少了極紫外光（EUV）設備機台不僅讓華為手機晶片達到7奈米製程等級，且效能及晶片密度恐怕僅能略優於約台積電10奈米製程水準，且良率恐怕表現不佳。

華為本次推出 Mate 60 Pro，本次回歸雖然僅低調直接開賣手機，但搭載的麒麟9000S手機應用處理器（AP）卻引爆市場熱烈討論。綜合各家媒體報導，麒麟9000S由中芯代工，雖然沒有公布製程，但N+1可能等於7奈米 LPE 製程，N+2可能等於7奈米 LPP 製程，其中N+2為高性能版本。

不過，半導體業界人士指出，中芯本次替華為打造的麒麟9000S僅使用深紫外光（DUV）曝光機台，該機台並非不能打造7奈米製程晶片，但需要多次來回曝光，使生產良率恐怕無法達到商用水準，若要讓手機晶片達到量產規模，可透過減少曝光製程，推估中芯本次生產的麒麟9000S晶片可能僅達到略優於台積電約10奈米製程水準，且生產良率仍有待提升。

事實上，DUV 曝光機台並非不能達到量產7奈米製程等級，台積電早在2018年就已經以 DUV 曝光機打造出初代7奈米製程產品，不過由於機台技術限制問題，台積電迅速就採用 EUV 曝光機推進生產出第二代7奈米，隨後 EUV 曝光機透過 ASML 的技術支援升級軟體工具及硬體，讓台積電得以用 EUV 曝光機一路推進到現在3奈米製程。

總結來說，目前 DUV 的物理極限就僅限制在最高7奈米製程，且良率效能恐怕相當低落，業界人士指出，中芯在未能取得 EUV 機台之前，要大量生產7奈米製程仍有相當高難度，更遑論推進到5奈米或是3奈米製程，在製程技術上當前仍被限制在7奈米製程。